2月18日，TechInsights最新陈述阐明，2025年第一季度，商场大将初次推出D1c的一小部分产品，首先由SK海力士推出。D1c代代将在2026年和2027年占有主导地位，包含HBM4 DRAM使用。未来AI和数据中心将需求更高的单个裸晶的内存容量，例如32Gb、48Gb或64Gb芯片，但现在商场上干流仍是16Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中，应开发3D DRAM架构，如4F2笔直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下等级节点（个位数节点）完成产品化，尤其是三星、SK海力士和美光等首要厂商，作为下一代DRAM缩放的候选计划。D1a和D1b是商场上的干流产品。到2027年末，该组织估计DRAM将迈入个位数纳米技术节点，如D0a，随后将是0b和0c代代。