美国研制新式激光技能。美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣告开发了一种名为大孔径铥（BAT）激光器的技能，旨在为极紫外（EUV）光刻技能的逐渐开展奠定根底。这种新式激光器的功率据称是现在ASML EUV光刻机中运用的二氧化碳（CO2）激光器的10倍，并有望在未来替代现有的CO2激光器。

  曩昔几十年里，劳伦斯利弗莫尔国家实验室在顶级激光、光学和等离子体物理学研讨方面取得了明显效果，这些研讨效果对半导体职业制作先进微处理器的根底科学起到了关键作用。这些计算机芯片推进了当今人工智能、高性能超级计算机和智能手机的开展。

  最新的方案由劳伦斯利弗莫尔国家实验室领导，将评价BAT激光器技能。与当时职业标准的CO2激光器比较，该技能有望将EUV光源功率前进约10倍。这一前进可能为新一代“beyond EUV”的光刻体系铺平道路，使芯片出产更快、更节能。但是，将BAT技能应用于半导体出产要严重的根底设施改变，因而详细时间表尚不清晰。

  当时一代低数值孔径（Low NA）EUV和下一代高数值孔径（High NA）EUV光刻体系面对的主体问题之一是极高的功率耗费，别离到达1,170千瓦和1,400千瓦。EUV光刻设备之所以能耗巨大，是因为它们依托高能激光脉冲蒸腾细小锡滴，在500,000ºC下发生13.5nm的EUV光线，这需求大功率激光器和冷却体系。

  ASML EUV光刻机的光源分为两部分：榜首部分是由通快集团供给的30KW二氧化碳激光器，用于照耀锡金属液滴以发生13.5nm波长的EUV光线；第二部分则是Cymer的作业，担任供给并操控锡金属液滴以每秒50000滴的速度从喷嘴内喷出，并使用通快集团的30KW二氧化碳激光器对每滴锡金属液滴进行两次炮击，由此发生安稳的13.5nm波长的EUV光线