金融界2024年10月31日音讯，国家知识产权局信息数据显现，浙江海纳半导体股份有限公司请求一项名为“一种单晶硅片的二次切开加工和整理洗刷办法”的专利，公开号 CN 118841318 A，请求日期为2024年6月。

  专利摘要显现，本发明触及半导体单晶硅片衬造技术领域，具体地说，触及一种单晶硅片的二次切开加工和整理洗刷办法。包含如下进程：将待处理硅片进行RCA规范清洗；将聚乙二醇经过旋涂工艺均匀涂敷在硅片外表；将两个单晶硅片抛光面粘接在一同；经过直角模具定位架对硅片做定位；采取了激光切开机进行切开；选用SC1和HO对硅片进行超声清洗，一起将粘接的硅片别离；对加工后的硅片进行边际倒角加工；经过RCA规范清洗工艺对硅片进行整理洗刷。本发明规划在硅片的别离进程不有必要进行机械剥离，极大地下降了碎片率，且经过温度操控粘接和分片进程，操作简略快捷，作用十分显着，灵活性强，可以适用于抛光硅片的外表无损转尺度加工。

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