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  在半导体工业的巨大版图中，光刻机无疑占有着无足轻重的位置，它被视为芯片制作范畴的中心设备。

  尤为需求咱们来重视的是，我国光刻机技能与全球顶尖水平比较，的确存在必定的间隔，这一间隔还能够追溯到数年乃至十数年前。现在，世界巨子ASML现已把握了EUV光刻机技能，而我国则仍处于干式DUV光刻机的阶段，间隔滋润式DUV乃至EUV光刻机还有适当长的路要走。

  那么，是什么导致了我国在光刻机技能上的滞后呢？这背面的原因扑朔迷离。一方面，我国在光刻机范畴的起步较晚，尽管与全球同步起步，但半途因为“造不如买”的思维影响，导致了近十年的技能阻滞。另一方面，欧美国家深知光刻机的重要性，因而对我国施行了严厉的技能封闭，从专利、技能、元件到供应链，全方位地约束了我国获取光刻机技能的途径。

  但是，就在这样的窘境中，我国科学院的研究人员却传来了振奋人心的音讯。他们成功研制出了一种全新的固态深紫外（DUV）激光技能，其光源波长达到了193纳米，这一技能与ASML、佳能、尼康等巨子所选用的技能道路天壤之别。

  传统的光刻机制作商，如ASML，首要依靠于氟化氩（ArF）准分子激光技能，通过特定的气体混合物在高压电场下生成193纳米波长的光子。而我国上一年曝光的一台DUV光刻机，也是选用的这种技能。

  比较之下，中科院此次研制的固态深紫外激光技能，则选用了彻底不同的计划。他们运用Yb:YAG晶体放大器生成1030纳米激光，再通过杂乱的光学计划，将这一激光转换成两路不同波长的光源。这两路光源再通过串级硼酸锂（LBO）晶体的混合，终究生成了193纳米波长的激光光束。这一光束正是制作干式DUV和滋润式DUV光刻机的要害。

  这一技能的打破，不只有望协助我国绕开欧美的技能封闭，削减对稀有气体的依靠，还能在某些特定的程度上下降能耗。但是，有必要留意一下的是，这一技能现在仍处于实验室阶段，间隔真实应用于光刻机还有必定的间隔。该技能生产出的光源在输出功率和频率上，也还无法与现存技能相媲美，因而暂时还无法用于大规模芯片的光刻。

  尽管如此，这一技能的打破依然具有里程碑式的含义。它展现了我国在光刻机技能范畴的立异才能和决计。随技能的渐渐的提高和完善，咱们有理由信任，未来我国将有可能是在光刻机技能上完成更大的打破，乃至有望应战ASML等世界巨子的位置。

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